Транзисторы из молибдена позволят создать более энергоэффективную и компактную электронику
Ученые МФТИ представили технологию создания транзисторов для чипов на основе дисульфида молибдена, которую можно внедрить на существующих производствах микроэлектроники. Разработка предлагает альтернативу кремнию, который уже достиг фундаментального физического порога: дальнейшее сокращение размеров классических транзисторов невозможно даже в теории.
Новый материал позволяет создавать элементы как минимум в три раза меньшего размера, а энергоэффективность увеличивается в сотни раз. При этом такие устройства будут совместимы с традиционными вычислительными системами.
«Дисульфид молибдена позволяет преодолеть ограничения кремния на толщину примерно с 2 нанометров до 0,65, а выигрыш в энергоэффективности может быть в сотни раз. За счет этого чипы из этого материала могут, например, снизить нежелательный нагрев устройств на порядки», — сказал старший научный сотрудник Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ Илья Завидовский.
Сегодня кремниевые полупроводники исчерпали свой ресурс. Из-за квантово-механических эффектов, увеличения токов утечки и тепловыделения наращивать производительность прежними методами становится невозможно. По всему миру ведущие научные группы ищут выход из этой проблемы, и одним из наиболее перспективных направлений считаются двумерные материалы. Лабораторные исследования в этой области активно ведутся в США и Европе, а Китай уже в начале этого года анонсировал запуск пилотной линии по выпуску молибденовых процессоров.
Микро в схему: в РФ создали технологию производства компонентов сверхкомпактных чипов
